- Ҳама Маҳсулот
- Маҳсулоти намуди дискретӣ
-
HV GaN HEMT
53 Маҳсулот ёфт
Тасвир | Қисми № | Истеҳсолкунанда | Рӯйхат | Тавсифи | Мавҷудият | Миқдор | RoHS | Вақти истеҳсоли завод | Ҳолати давраи ҳаёт | Ҳолати RoHS |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
INS1001DE | Innoscience |
The INS1001 is designed to drive single-channel...
|
Дар фурӯш
|
|
8 Ҳафтаҳо | ФАЪОЛ (Навсозии охирин: 2 рӯз пеш) | Мутобиқати RoHS | |||
|
||||||||||
ISG6102 | Innoscience |
The ISG6102 SolidGaN IC integrates a 700V E-Mod...
|
Дар фурӯш
|
|
8 Ҳафтаҳо | ФАЪОЛ (Навсозии охирин: 2 рӯз пеш) | Мутобиқати RoHS | |||
|
||||||||||
ISG6103 | Innoscience |
The ISG6103 SolidGaN IC integrates a 700V E-Mod...
|
Дар фурӯш
|
|
8 Ҳафтаҳо | ФАЪОЛ (Навсозии охирин: 2 рӯз пеш) | Мутобиқати RoHS | |||
|
||||||||||
INN700DA140C | Innoscience |
700V GaN-on-Silicon Enhancement-mode Power Tran...
|
Дар фурӯш
|
|
8 Ҳафтаҳо | ФАЪОЛ (Навсозии охирин: 2 рӯз пеш) | Мутобиқати RoHS | |||
|
||||||||||
INN700DA190B | Innoscience |
700V GaN-on-Silicon Enhancement-mode Power Tran...
|
Дар фурӯш
|
|
8 Ҳафтаҳо | ФАЪОЛ (Навсозии охирин: 2 рӯз пеш) | Мутобиқати RoHS | |||
|
||||||||||
INN700DA240B | Innoscience |
700V GaN-on-Silicon Enhancement-mode Power Tran...
|
Дар фурӯш
|
|
8 Ҳафтаҳо | ФАЪОЛ (Навсозии охирин: 2 рӯз пеш) | Мутобиқати RoHS | |||
|
||||||||||
INN700DA350B | Innoscience |
700V GaN-on-Silicon Enhancement-mode Power Tran...
|
Дар фурӯш
|
|
8 Ҳафтаҳо | ФАЪОЛ (Навсозии охирин: 2 рӯз пеш) | Мутобиқати RoHS | |||
|
||||||||||
INN700DA480B | Innoscience |
700V GaN-on-Silicon Enhancement-mode Power Tran...
|
Дар фурӯш
|
|
8 Ҳафтаҳо | ФАЪОЛ (Навсозии охирин: 2 рӯз пеш) | Мутобиқати RoHS | |||
|
||||||||||
INN700DA600B | Innoscience |
700V GaN-on-Silicon Enhancement-mode Power Tran...
|
Дар фурӯш
|
|
8 Ҳафтаҳо | ФАЪОЛ (Навсозии охирин: 2 рӯз пеш) | Мутобиқати RoHS | |||
|
||||||||||
INN700DC140C | Innoscience |
700V GaN-on-Silicon Enhancement-mode Power Tran...
|
Дар фурӯш
|
|
8 Ҳафтаҳо | ФАЪОЛ (Навсозии охирин: 2 рӯз пеш) | Мутобиқати RoHS | |||
|